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硅溶胶(同类产品)

晶圆抛光用 CMP 级硅溶胶

化学机械抛光(CMP)硅溶胶是超高纯胶体二氧化硅,用于半导体晶圆表面平坦化和光伏硅片抛光。痕量金属通常低于 1 ppm;粒径严格控制(D50 30-80 nm)以达到所需表面粗糙度。

技术规格

粒径 D5030-80 nm
颗粒均匀度 CV低于 15%
SiO₂ 含量20-30 wt%
金属杂质低于 1 ppm(半导体级)
pH9.5-10.5(KOH 稳定)

应用领域

  • 半导体晶圆表面平坦化
  • 光伏硅片抛光
  • 蓝宝石衬底抛光
  • 光学玻璃抛光
  • 硬盘基板抛光

产品特点

  • 超高纯(半导体级)
  • 严格控制粒径分布
  • 优秀去除率
  • 可达表面粗糙度 Ra 低于 0.5 nm
  • 与所有主要 CMP 设备平台兼容

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Grade

Semiconductor / PV CMP

Particle Size

30-80 nm

Trace Metals

Below 1 ppm

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Within 5 business days

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